Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, DIODES INCORPORATED - DMN10H120SE-13

Distribuie
  • 1,81lei

  • Fără TVA:1,52lei

  • 25 sau mai multe 1,61lei
  • 64 sau mai multe 1,43lei
  • 149 sau mai multe 1,35lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, DIODES INCORPORATED - DMN10H120SE-13

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 100V

Capsula: SOT223

Montare: SMD

Putere disipata: 1.3W

Curent drena: 3.4A

Caracteristici
Carcasa SOT223
Curent drena 3.4A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.122Ω
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 100V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha