Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, VISHAY - SI4116DY-T1-GE3
- Producător Vishay
- Cod produs:T123996
-
0,00lei
- Fără TVA:0,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, VISHAY - SI4116DY-T1-GE3
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 25V
Capsula: SO8
Montare: SMD
Putere disipata: 3.2W
Curent drena: 18A
Caracteristici
| Carcasa | SO8 |
| Curent de drena in impuls | 50A |
| Curent drena | 18A |
| Incarcatura poarta | 56nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 8.6mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 25V |
| Tensiune poarta-sursa | ±12V |