Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerPAK® SO8, VISHAY - SIR662DP-T1-GE3
- Producător Vishay
- Cod produs:T124057
-
0,00lei
- Fără TVA:0,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerPAK® SO8, VISHAY - SIR662DP-T1-GE3
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 60V
Capsula: PowerPAK® SO8
Montare: SMD
Putere disipata: 66.6W
Curent drena: 100A
Caracteristici
| Carcasa | PowerPAK® SO8 |
| Curent de drena in impuls | 350A |
| Curent drena | 100A |
| Incarcatura poarta | 96nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 2.7mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 60V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |