Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TSDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSZ105N04NSGATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122126
-
5,12lei
- Fără TVA:4,30lei
-
- 5 sau mai multe 2,15lei
- 25 sau mai multe 1,93lei
- 60 sau mai multe 1,53lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TSDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSZ105N04NSGATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 40V
Capsula: PG-TSDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 35W
Curent drena: 29A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TSDSON-8 |
| Curent drena | 29A |
| Incarcatura poarta | 13nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 10.5mΩ |
| Tensiune drena-sursa | 40V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |