Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TSDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSZ0901NSIATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122112
-
9,72lei
- Fără TVA:8,17lei
-
- 10 sau mai multe 8,01lei
- 15 sau mai multe 6,13lei
- 35 sau mai multe 5,78lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TSDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSZ0901NSIATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 30V
Capsula: PG-TSDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 69W
Curent drena: 40A
Caracteristici
Carcasa | PG-TSDSON-8 |
Curent drena | 40A |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 2.1mΩ |
Tensiune drena-sursa | 30V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Tip produs | Datalogger |