Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB65R099C6ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122729
-
56,14lei
- Fără TVA:47,18lei
-
- 3 sau mai multe 34,26lei
- 7 sau mai multe 32,41lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB65R099C6ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 650V
Capsula: PG-TO263-3
Montare: SMD
Putere disipata: 278W
Curent drena: 38A
Caracteristici
Carcasa | PG-TO263-3 |
Curent drena | 38A |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 99mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 650V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Tip produs | Datalogger |