Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB65R099C6ATMA1

Distribuie
  • 56,14lei

  • Fără TVA:47,18lei

  • 3 sau mai multe 34,26lei
  • 7 sau mai multe 32,41lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB65R099C6ATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 650V

Capsula: PG-TO263-3

Montare: SMD

Putere disipata: 278W

Curent drena: 38A

Caracteristici
Carcasa PG-TO263-3
Curent drena 38A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 99mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 650V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha