Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB60R160C6ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122710
-
23,70lei
- Fără TVA:19,92lei
-
- 3 sau mai multe 20,50lei
- 7 sau mai multe 14,44lei
- 15 sau mai multe 13,67lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB60R160C6ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: PG-TO263-3
Montare: SMD
Putere disipata: 176W
Curent drena: 23.8A
Caracteristici
Carcasa | PG-TO263-3 |
Curent drena | 23.8A |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.16Ω |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 600V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Tip produs | Datalogger |