Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB200N15N3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122688
-
18,94lei
- Fără TVA:15,92lei
-
- 10 sau mai multe 13,45lei
- 11 sau mai multe 8,59lei
- 25 sau mai multe 8,14lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB200N15N3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 120V
Capsula: PG-TO263-3
Montare: SMD
Putere disipata: 78W
Curent drena: 45A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO263-3 |
| Curent drena | 45A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 20mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 120V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |