Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB015N04LGATMA1

Distribuie
  • 21,54lei

  • Fără TVA:18,10lei

  • 5 sau mai multe 19,37lei
  • 6 sau mai multe 15,06lei
  • 14 sau mai multe 14,26lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB015N04LGATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 40V

Capsula: PG-TO263-3

Montare: SMD

Putere disipata: 250W

Curent drena: 120A

Caracteristici
Carcasa PG-TO263-3
Curent drena 120A
Incarcatura poarta 260nC
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 1.5mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 40V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha