Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB015N04LGATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122623
-
21,54lei
- Fără TVA:18,10lei
-
- 5 sau mai multe 19,37lei
- 6 sau mai multe 15,06lei
- 14 sau mai multe 14,26lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB015N04LGATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 40V
Capsula: PG-TO263-3
Montare: SMD
Putere disipata: 250W
Curent drena: 120A
Caracteristici
Carcasa | PG-TO263-3 |
Curent drena | 120A |
Incarcatura poarta | 260nC |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.5mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 40V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |