Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3-2, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB100N10S305ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122677
-
0,00lei
- Fără TVA:0,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3-2, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB100N10S305ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: PG-TO263-3-2
Montare: SMD
Putere disipata: 300W
Curent drena: 100A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO263-3-2 |
| Curent de drena in impuls | 400A |
| Curent drena | 100A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 4.8mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 100V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |