Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD60R385CPATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122824
-
0,00lei
- Fără TVA:0,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD60R385CPATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 650V
Capsula: PG-TO252
Montare: SMD
Putere disipata: 83W
Curent drena: 5.7A
Caracteristici
Carcasa | PG-TO252 |
Curent de drena in impuls | 27A |
Curent drena | 5.7A |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 385mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 650V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Tip produs | Datalogger |