Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD60R385CPATMA1

Distribuie
  • 0,00lei

  • Fără TVA:0,00lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD60R385CPATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 650V

Capsula: PG-TO252

Montare: SMD

Putere disipata: 83W

Curent drena: 5.7A

Caracteristici
Carcasa PG-TO252
Curent de drena in impuls 27A
Curent drena 5.7A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 385mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 650V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha