Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD80R360P7ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122868
-
19,16lei
- Fără TVA:16,10lei
-
- 5 sau mai multe 17,07lei
- 6 sau mai multe 15,06lei
- 14 sau mai multe 14,28lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD80R360P7ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 800V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 84W
Curent drena: 8.6A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate |
| Carcasa | PG-TO252-3 |
| Curent drena | 8.6A |
| Incarcatura poarta | 30nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.36Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 800V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |