Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD60R2K0C6BTMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122821
-
4,24lei
- Fără TVA:3,56lei
-
- 3 sau mai multe 3,19lei
- 10 sau mai multe 2,56lei
- 16 sau mai multe 2,15lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD60R2K0C6BTMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 22.3W
Curent drena: 2.4A
Caracteristici
Carcasa | PG-TO252-3 |
Curent drena | 2.4A |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 2Ω |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 600V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Tip produs | Datalogger |