Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC252N10NSFGATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121949
-
5,77lei
- Fără TVA:4,85lei
-
- 5 sau mai multe 5,02lei
- 7 sau mai multe 3,72lei
- 54 sau mai multe 3,52lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC252N10NSFGATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: PG-TDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 78W
Curent drena: 40A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TDSON-8 |
| Curent drena | 40A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 25.2mΩ |
| Tensiune drena-sursa | 100V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |