Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC100N06LS3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121930
-
8,53lei
- Fără TVA:7,17lei
-
- 10 sau mai multe 3,96lei
- 38 sau mai multe 2,40lei
- 88 sau mai multe 2,27lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (6201 buc.)
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC100N06LS3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 60V
Capsula: PG-TDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 50W
Curent drena: 36A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | logic level |
| Carcasa | PG-TDSON-8 |
| Curent de drena in impuls | 200A |
| Curent drena | 36A |
| Incarcatura poarta | 45nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 10mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 60V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |