Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC100N03MSGATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121929
-
2,83lei
- Fără TVA:2,38lei
-
- 10 sau mai multe 2,54lei
- 47 sau mai multe 1,98lei
- 108 sau mai multe 1,88lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC100N03MSGATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 30V
Capsula: PG-TDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 30W
Curent drena: 28A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | logic level |
| Carcasa | PG-TDSON-8 |
| Curent de drena in impuls | 176A |
| Curent drena | 28A |
| Incarcatura poarta | 5.8nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 10mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 30V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |