Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC082N10LSGATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121901
-
13,46lei
- Fără TVA:11,31lei
-
- 5 sau mai multe 7,82lei
- 26 sau mai multe 7,40lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC082N10LSGATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: PG-TDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 156W
Curent drena: 100A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TDSON-8 |
| Curent drena | 100A |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 8.2mΩ |
| Tensiune drena-sursa | 100V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |