Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC076N06NS3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121897
-
4,13lei
- Fără TVA:3,47lei
-
- 3 sau mai multe 3,65lei
- 10 sau mai multe 2,65lei
- 75 sau mai multe 2,51lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC076N06NS3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 60V
Capsula: PG-TDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 69W
Curent drena: 50A
Caracteristici
Carcasa | PG-TDSON-8 |
Curent drena | 50A |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 7.6mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 60V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Tip produs | Datalogger |