Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN95R2K0P7ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122957
-
5,12lei
- Fără TVA:4,30lei
-
- 5 sau mai multe 4,23lei
- 25 sau mai multe 3,71lei
- 28 sau mai multe 3,28lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN95R2K0P7ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 950V
Capsula: PG-SOT223
Montare: SMD
Putere disipata: 7W
Curent drena: 2.4A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate |
| Carcasa | PG-SOT223 |
| Curent drena | 2.4A |
| Incarcatura poarta | 10nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 2Ω |
| Subtip ambalaj | rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 950V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |