Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN95R1K2P7ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122956
-
5,64lei
- Fără TVA:4,74lei
-
- 5 sau mai multe 5,05lei
- 24 sau mai multe 3,94lei
- 54 sau mai multe 3,73lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN95R1K2P7ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 950V
Capsula: PG-SOT223
Montare: SMD
Putere disipata: 7W
Curent drena: 3.7A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate |
| Carcasa | PG-SOT223 |
| Curent drena | 3.7A |
| Incarcatura poarta | 15nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.2Ω |
| Subtip ambalaj | rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 950V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |