Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN80R4K5P7ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122952
-
5,12lei
- Fără TVA:4,30lei
-
- 5 sau mai multe 4,10lei
- 10 sau mai multe 3,46lei
- 28 sau mai multe 3,27lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (2241 buc.)
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN80R4K5P7ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 800V
Capsula: PG-SOT223
Montare: SMD
Putere disipata: 6W
Curent drena: 1A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate |
| Carcasa | PG-SOT223 |
| Curent drena | 1A |
| Incarcatura poarta | 4nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 4.5Ω |
| Subtip ambalaj | rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 800V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |