Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - BSP149H6906XTSA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122009
-
0,00lei
- Fără TVA:0,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - BSP149H6906XTSA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 200V
Capsula: PG-SOT223
Montare: SMD
Putere disipata: 1.8W
Curent drena: 530mA
Caracteristici
Carcasa | PG-SOT223 |
Curent de drena in impuls | 2.6A |
Curent drena | 530mA |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 3.5Ω |
Subtip canal | sărăcit |
Tensiune drena-sursa | 200V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Tip produs | Datalogger |