Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HSOG-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IAUS200N08S5N023ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T124557
-
0,00lei
- Fără TVA:0,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HSOG-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IAUS200N08S5N023ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 80V
Capsula: PG-HSOG-8
Montare: SMD
Putere disipata: 200W
Curent drena: 148A
Caracteristici
| Curent de drena in impuls | 800A |
| Curent drena | 148A |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 2.3mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 80V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |