Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HSOG-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IAUS165N08S5N029ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122604
-
19,84lei
- Fără TVA:16,67lei
-
- 6 sau mai multe 15,21lei
- 14 sau mai multe 14,39lei
- 100 sau mai multe 13,89lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HSOG-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IAUS165N08S5N029ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 80V
Capsula: PG-HSOG-8
Montare: SMD
Putere disipata: 167W
Curent drena: 165A
Caracteristici
| Carcasa | PG-HSOG-8 |
| Curent de drena in impuls | 660A |
| Curent drena | 165A |
| Incarcatura poarta | 31nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 2.9mΩ |
| Subtip ambalaj | bandă, rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 80V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |