Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HDSOP-10-1, INFINEON TECHNOLOGIES - IPDD60R125G7XTMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122888
-
32,01lei
- Fără TVA:26,90lei
-
- 4 sau mai multe 22,87lei
- 10 sau mai multe 21,65lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (48 buc.)
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HDSOP-10-1, INFINEON TECHNOLOGIES - IPDD60R125G7XTMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: PG-HDSOP-10-1
Montare: SMD
Putere disipata: 120W
Curent drena: 20A
Caracteristici
| Carcasa | PG-HDSOP-10-1 |
| Curent de drena in impuls | 54A |
| Curent drena | 20A |
| Incarcatura poarta | 27nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.125Ω |
| Subtip ambalaj | bandă, rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 600V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |