Tranzistor N-MOSFET, capsula DPAK, STMicroelectronics - STD4N80K5

Distribuie

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 800V

Capsula: DPAK

Montare: SMD

Putere disipata: 60W

Curent drena: 1.7A

Caracteristici

Caracteristici elemente semiconductoare	ESD protected gate
Carcasa	DPAK
Curent de drena in impuls	12A
Curent drena	1.7A
Nivel dificultate	Avansat
Polarizare	unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii	2500mΩ
Subtip canal	îmbogăţit
Tensiune drena-sursa	800V
Tensiune poarta-sursa	±30V
Tip produs	Datalogger

Spune-ţi opinia

Numele tău:

Opinia ta:

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!

Nota: Rău Bun

Captcha

Introdul codul de verificare