Tranzistor N-MOSFET, capsula DPAK, ON SEMICONDUCTOR - FCD9N60NTM

Distribuie

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 600V

Capsula: DPAK

Montare: SMD

Putere disipata: 92.6W

Curent drena: 5.7A

Caracteristici

Carcasa	DPAK
Curent drena	5.7A
Nivel dificultate	Avansat
Polarizare	unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii	385mΩ
Subtip canal	îmbogăţit
Tensiune drena-sursa	600V
Tensiune poarta-sursa	±30V
Tip produs	Datalogger

Spune-ţi opinia

Numele tău:

Opinia ta:

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!

Nota: Rău Bun

Captcha

Introdul codul de verificare