Tranzistor N-MOSFET, capsula D2PAK, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB60R099C7ATMA1

Distribuie
  • 31,64lei

  • Fără TVA:26,58lei

  • 5 sau mai multe 22,04lei
  • 10 sau mai multe 20,86lei
  • 100 sau mai multe 20,80lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula D2PAK, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB60R099C7ATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 600V

Capsula: D2PAK

Montare: SMD

Putere disipata: 110W

Curent drena: 14A

Caracteristici
Carcasa D2PAK
Curent drena 14A
Incarcatura poarta 42nC
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 99mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 600V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha