Tranzistor N-MOSFET, capsula D2PAK, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB60R099C7ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122703
-
31,64lei
- Fără TVA:26,58lei
-
- 5 sau mai multe 22,04lei
- 10 sau mai multe 20,86lei
- 100 sau mai multe 20,80lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula D2PAK, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB60R099C7ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: D2PAK
Montare: SMD
Putere disipata: 110W
Curent drena: 14A
Caracteristici
Carcasa | D2PAK |
Curent drena | 14A |
Incarcatura poarta | 42nC |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 99mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 600V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |